|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
PHILIPS
|
800
|
9.83
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
|
8 160
|
1.68
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
КИТАЙ
|
80
|
9.83
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4730A |
|
Стабилитрон 1W 3,9V
|
TRR
|
12 000
|
1.16
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
43
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
3
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
OTHER
|
162
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
|
13 068
|
1.45
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
KEISUM
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
YJ
|
1 224
|
3.10
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
752
|
1.72
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
HOTTECH
|
4 864
|
2.66
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.68
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
90 384
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
485
|
2.72
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
20 341
|
2.34
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
78 498
|
1.37
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.81
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.47
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
99 191
|
1.50
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
164 860
|
1.37
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
63 000
|
1.18
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.02
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
STEWARD
|
|
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
|
14
|
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
STEWARD
|
|
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
Laird-Signal Integrity Products
|
|
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
LAIRD
|
|
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
LAIRD TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
MUR
|
|
|
|
|
|
MI0805K400R-10 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
76
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
|
18 480
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CJ
|
4 617
|
4.13
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YJ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HOTTECH
|
55 565
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
OMRON
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
LGE
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
YOUTAI
|
16 454
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SS8550 |
|
Транзистор PNP 25V, 1.5A, 1W, 200MHz
|
HXY
|
3 072
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|