Версия для печати
Технические характеристики STP5NK60ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	690pF @ 25V
Power - Max	25W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

STP5NK60ZFP (MOSFET) N-CHANNEL 650V @Tjmax - 1.2? - 5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP5NK60ZFP datasheet 476.6 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	SANYO
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	SAN
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости			82.72
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	СИНГАПУР
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	1
		LA4285		УНЧ 3W (16V/8 Ом), эл. pег. гpомкости	4-7 НЕДЕЛЬ	688
		LA78141			SANYO
		LA78141			SAN
		LA78141				1	94.50
		LA78141			ONS
		LA78141			4-7 НЕДЕЛЬ	619
		NE556N			NEC
		NE556N			ST MICROELECTRONICS	266	35.91
		NE556N					33.68
		NE556N			ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE556N			STMicroelectronics
		NE556N			Texas Instruments
		NE556N			TEXAS INSTRUMENTS	16
		NE556N			КИТАЙ
		NE556N			ST MICROELECTR
		NE556N			TEXAS	848	28.89
		NE556N			ST1
		NE556N			ST MICROELECTRO
		NE556N			TEXAS INSTRUMEN
		NE556N			4-7 НЕДЕЛЬ	309
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	671	63.74
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		4 000	39.40
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В		800	37.80
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	НОВОСИБИРСК
		561ТМ2		2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В	ХАБАРОВСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"