| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
801
|
8.59
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
12 699
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
869 896
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
DA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод, 2 знака, общий анод, 14.22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
DA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод, 2 знака, общий анод, 14.22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...
|
KINGBRIGHT
|
16
|
212.00
|
|
|
|
DA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод, 2 знака, общий анод, 14.22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...
|
KGB
|
3 012
|
169.26
|
|
|
|
DA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод, 2 знака, общий анод, 14.22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...
|
|
|
80.84
|
|
|
|
DA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод, 2 знака, общий анод, 14.22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
DA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод, 2 знака, общий анод, 14.22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...
|
Kingbright Corp
|
|
|
|
|
|
DA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод, 2 знака, общий анод, 14.22mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
GRM21BR61C106K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ X5R 10% 16В 0805
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM21BR61C106K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ X5R 10% 16В 0805
|
|
|
13.56
|
|
|
|
GRM21BR61C106K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 10 мкФ X5R 10% 16В 0805
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
14 372
|
11.37
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
328
|
12.88
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
328
|
4.13
|
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm
|
|
|
|
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm
|
ВОURNS
|
|
|
|