BZV55-B3V0
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1V |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 95 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-80C |
| Корпус | LLDS; MiniMelf |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BZV55 (Стабилитроны) Zener Diodes Также в этом файле: BZV55-B3V0, BZV55-B3V0
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 293D226X0035E2T | VISHAY |
|
|
|||||
| 293D226X0035E2T | VISHAY | 1 280 |
|
|||||
 |
 |
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) |
|
|
||
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN4R7M33L |
|
Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210) | MUR | 28 576 | 4.86 | |
| LQH32MN3R3K21L | MURATA |
|
|
|||||
| LQH32MN3R3K21L | MURATA |
|
|
|||||
| T491D476K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор | KEMET |
|
|
|||
| T491D476K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор |
|
206.76 | ||||
| T491D476K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор | KEMET |
|
|
|||
| T491D476K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор | МЕКСИКА |
|
|
|||
| T491D476K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор | ПОРТУГАЛИЯ |
|
|
|||
| T491D476K025AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор | KEM |
|
|
|||
| ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM) | DEN |
|
|
|||||
| ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM) | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM) | КИТАЙ |
|
|
