BZV55-B3V0

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BZV55-B3V0 (PHILIPS.)	1 379	3-4 недели Цена по запросу
BZV55-B3V0		14.00

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-B3V0

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	3V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	95 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-80C
Корпус	LLDS; MiniMelf
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BZV55 (Стабилитроны)

Zener Diodes

Также в этом файле: BZV55-B3V0, BZV55-B3V0

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

BZV55-B3V0 datasheet
242.9Kb
7стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DG235-031-5,0			31	18.50
INA168NA/250	ИМС датчика тока	TEXAS INSTRUMENTS
INA168NA/250	ИМС датчика тока			350.00
INA168NA/250	ИМС датчика тока	TEXAS
INA168NA/250	ИМС датчика тока	4-7 НЕДЕЛЬ	674
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA	2 804	11.76
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MUR	16 005	6.92
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	FAI/QTC
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTOR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONS	15 064	8.57
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A		13 600	4.02
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTOR	15 802
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ON SEMICONDUCTO
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONSEMICONDUCTOR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONS-FAIR
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	ONSEMI
MBR0530T1G	Диод Шоттки 30V, 0,5A	FUXIN	40 023	1.17
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V		SUNTAN
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V		КИТАЙ
Y5V 2.2UF +80%-20% 50V			40	6.76