BZV55-B12
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 8V |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 25 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-80C |
| Корпус | LLDS; MiniMelf |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZV55-B10 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV55-B10 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B10 | PHILIPS |
|
|
|||||
| DG235-031-5,0 | 31 | 18.50 | ||||||
| INA168NA/250 |
|
ИМС датчика тока | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| INA168NA/250 |
|
ИМС датчика тока |
|
350.00 | ||||
| INA168NA/250 |
|
ИМС датчика тока | TEXAS |
|
|
|||
| INA168NA/250 |
|
ИМС датчика тока | 4-7 НЕДЕЛЬ | 674 |
|
|||
 |
 |
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | FAI/QTC |
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | ONS | 3 440 | 9.30 | |
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | 13 400 | 4.10 | ||
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | ON SEMICONDUCTOR | 15 802 |
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | ONSEMI |
|
|
|
|
|
|
MBR0530T1G |
|
Диод Шоттки 30V, 0,5A | FUXIN | 13 703 |
1.82 >100 шт. 0.91 |
|
| Y5V 2.2UF +80%-20% 50V | SUNTAN |
|
|
|||||
| Y5V 2.2UF +80%-20% 50V | КИТАЙ |
|
|
|||||
| Y5V 2.2UF +80%-20% 50V | 40 | 7.00 |
