Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 800mV |
Voltage - Off State | 400V |
SCR Type | Sensitive Gate |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.7V |
Current - On State (It (AV)) (Max) | 500mA |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 800mA |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200µA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 5mA |
Current - Off State (Max) | 100µA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 8A, 9A |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Корпус | TO-92-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
7 716
|
1.40
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.85
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
35 270
|
1.19
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PLINGSEMIC
|
17 280
|
1.15
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
45 272
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 844
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 648
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 236
|
2.96
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
21 596
|
1.96
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
8 021
|
2.21
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
223 912
|
1.31
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.36
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
116 095
|
1.13
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
183 696
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
86 400
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
3 399
|
3.57
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
3 928
|
3.57
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
|
|
7.24
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
595
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
1 144
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
770
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INGINEON
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
422
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
JSCJ
|
18 553
|
2.63
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
|
92 908
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
35
|
1.51
|
|
|
|
BZV55C13 |
|
Стабилитрон импортный 13В, кремниевй для SMDмонтажа, 5%
|
HOTTECH
|
6 978
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
BOURNS
|
1 843
|
15.83
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
MF-SM200-2 |
|
2 A предохранитель самовосстанавливающийся SMD
|
|
|
|
|