|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
356 721
|
1.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
119 076
|
2.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 394
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 039 472
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
372 676
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 466
|
1.55
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.07
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 613 660
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
264 829
|
1.09
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
638 290
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
20 544
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
74 911
|
1.12
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
28 702
|
2.12
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
5.71
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
33 677
|
2.49
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
1 371 632
|
1.38
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
1 206 932
|
1.21
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
101
|
1.73
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
1 256 811
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
45 272
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 844
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 608
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 236
|
2.95
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
21 596
|
1.96
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
22 421
|
2.20
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
231 472
|
1.31
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.33
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
90 853
|
1.13
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
157 453
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
86 400
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
|
32 086
|
5.52
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
HOTTECH
|
136 496
|
5.95
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
TRR
|
29 600
|
3.87
|
|
|
|
BCP53-16 |
|
Транзистор биполярный SMD PNP, 80V, 1A 1,3W, B:100-250
|
JSCJ
|
38 521
|
5.09
|
|
|
|
RC0603FR-0782KL |
|
|
YAGEO
|
545 282
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
RC0603FR-0782KL |
|
|
YAGEO
|
20 868
|
|
|
|
|
RC0603FR-0782KL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0603FR-0782KL |
|
|
|
|
|
|