Версия для печати
Технические характеристики BSP51

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 150mA, 10V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223-3

BSP50 (Биполярные NPN транзисторы Дарлингтона) NPN Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage) Также в этом файле: BSP51 Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BSP51 datasheet 156.14Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FYL-5013UWC/P		Единичный светодиод - 5mm/White/clear/If=20mA/2500 mcd, 30°	FORYARD
		FYL-5013UWC/P		Единичный светодиод - 5mm/White/clear/If=20mA/2500 mcd, 30°			21.36
		FYL-5013UWC/P		Единичный светодиод - 5mm/White/clear/If=20mA/2500 mcd, 30°	КИТАЙ
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	FAIR
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	FAIRCHILD	158	73.50
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	NSC
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	FAIRCHILD
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	Fairchild Semiconductor
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	ONS-FAIR
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	ONS
		LP2951CMX		Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=2%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	676
		MGA-62563-BLKG			AVAGO
		MGA-62563-BLKG					339.12
		MGA-62563-BLKG			Avago Technologies US Inc
		MGA-62563-BLKG			AVAGO TECHNOLOGIES
		MGA-62563-BLKG			BRO/AVAG
		MGA-62563-BLKG			BROADCOM
		MGA-62563-BLKG			4-7 НЕДЕЛЬ	181
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 290	11.71
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	612
		WH1602B-NYG-CT		ЖКИ алфавитно-цифровой 16х2 (V=5V, STN-желт-зел, без подсв., отраж, угол обзора - ...	WINSTAR	800	402.42
		WH1602B-NYG-CT		ЖКИ алфавитно-цифровой 16х2 (V=5V, STN-желт-зел, без подсв., отраж, угол обзора - ...			720.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"