Версия для печати
Технические характеристики BCV26

Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector (Ic) (Max)	1.2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100µA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20000 @ 100mA, 5V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	220MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BCV26 Pnp Silicon Planar Darlington Transistors Производитель: Zetex Semiconductors //www.zetex.com BCV26 datasheet 53.31Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	SMK
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	КИТАЙ
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	ST MICROELECTRONICS
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель		22 880	2.46
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	МИКРОН
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель		22 880	2.46
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	HOTTECH	2 232	1.56
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	JSMICRO
		LM358		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель	4-7 НЕДЕЛЬ	754
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LINEAR TECHNOLOGY
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LITE-ON
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LIT
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA			26.28
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	КИТАЙ
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	4-7 НЕДЕЛЬ	348
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ST MICROELECTRONICS	266	35.92
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	TEXAS INSTRUMENTS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ON SEMICONDUCTOR
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	SGS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	UTC
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input		8	45.36
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ON SEMICONDUCTOR
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	SGS THOMSON
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	TEXAS INSTRUMENTS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	STMicroelectronics
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	TEXAS
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	1
		TL082CD		Двухканальный операционный усилитель с малым температурным дрейфом JFET-input	4-7 НЕДЕЛЬ	615
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		608	34.59
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	565	32.79
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 586	38.16
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК	297	25.44
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	1988

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"