Версия для печати
Технические характеристики 1N5398

Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 800V
Current - Average Rectified (Io)	1.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.4V @ 1.5A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	25pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AC, DO-15, Axial
Корпус	DO-15

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC846B-TP			MCC
		BC846B-TP			Micro Commercial Co
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ			20.00
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS	128	40.29
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	FAIRCHILD
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	FAIRCHILD
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	Fairchild Semiconductor
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	STMicroelectronics
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	PHILIPS
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	ON SEMICONDUCTOR
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	TEXAS INSTRUMENTS	1 738
		LM324AN		Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ	4-7 НЕДЕЛЬ
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD		100	15.12
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONS	44 638	3.03
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR	5 858
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт		399	1.86
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ONS	44	2.09
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTOR	6 564
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTO
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	FAIRCHILD	62
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	HOTTECH
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	KLS
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	SEMTECH
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	0.00
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	1
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	FUXIN	21 319	2.00
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	649
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		5 688	33.48
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	7021
		КТ973Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	9

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"