BC857C-TP
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 310mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 564ПР1 |
|
568.00 | ||||||
| 564ПР1 | НОВОСИБИРСК |
|
|
|||||
| 564ПР1 | НЗПП |
|
|
|||||
| R1620 500K (СП3-4АМ ВАЛ 20ММ) | 1 477 | 17.39 | ||||||
| R1620 500K (СП3-4АМ ВАЛ 20ММ) | 1 477 | 17.39 | ||||||
| Z0107MN 5AA4 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| Z0107MN 5AA4 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| Z0107MN 5AA4 |
|
|
||||||
| Д814Г1 СТ |
|
|
||||||
| Д814Г1 СТ | САРАНСК | 74 213 | 1.06 | |||||
 |
 |
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | 1 804 | 18.90 | ||
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | МИНСК |
|
|
