BC857C-TP


Купить BC857C-TP ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BC857C-TP
Версия для печати

Технические характеристики BC857C-TP

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Power - Max310mW
Frequency - Transition200MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    564ПР1       Заказ радиодеталей 568.00 
    564ПР1     НОВОСИБИРСК 4 315.00 
    564ПР1     НЗПП Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BY297 Импульсный диод 1.5А, 200 В   SMK Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BY297 Импульсный диод 1.5А, 200 В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BY297 Импульсный диод 1.5А, 200 В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BY297 Импульсный диод 1.5А, 200 В   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BY297 Импульсный диод 1.5А, 200 В   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LTV817B Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA   LINEAR TECHNOLOGY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LTV817B Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA   LITE-ON Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LTV817B Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA   LIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LTV817B Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA     Заказ радиодеталей 26.28 
  LTV817B Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LTV817B Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LTV817B Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA   4-7 НЕДЕЛЬ 348 цена радиодетали
    NTR4003NT1G     ONS 11 540 9.44 
    NTR4003NT1G     ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NTR4003NT1G     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NTR4003NT1G       Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт     623 28.34 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   КРЕМНИЙ 3 064 33.61 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   БРЯНСК 1 752 37.80 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   УЛЬЯНОВСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход