Версия для печати
Технические характеристики 3296X-1-201

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	Trimpot® 3296 - Sealed
Сопротивление (Ом)	200
Мощность (Ватт)	0.5W, 1/2W
Допустимые отклонения емкости	±10%
Температурный коэфициент	±100ppm/°C
Number of Turns	25
Adjustment Type	Side Adjustment
Resistive Material	Cermet
Тип монтажа	Выводной
Termination Style	PC Pin
Корпус (размер)	Square - 0.375" L x 0.190" W x 0.395" H (9.53mm x 4.83mm x 10.03mm)
Tolerance	±10%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

 » 

Потенциометры, переменные резисторы

 » 

Триммеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3362S-502		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм	BOURNS
		3362S-502		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм	BARONS
		3362S-502		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм			19.04
		3362S-502		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		309	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	SEMTECH
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A		11 920	1.80
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	GALAXY
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	КИТАЙ	266	11.34
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	YJ	1 360	3.10
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	MIC	17 074	2.02
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	GALAXY ME	1 445	4.36
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	YANGJIE	3 600	3.33
		SF26		Ультрабыстрый диод 400V 2A	YANGJIE (YJ)
		КТ209Б				3 452	9.25
		КТ209Б			КРЕМНИЙ	826	12.47
		КТ209Б			МИНСК
		КТ209Б			НАЛЬЧИК
		КТ209Б			БРЯНСК	3 650	2.10
		КТ209Б			АЛЕКСАНДРОВ
		КТ209Б			ПЛАНЕТА
		КТ209Б			ИНТЕГРАЛ
		КТ209Б			КРЕМН
		КТ209Б			КРЕМНИЙ ЭЛ	527	4.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	89	1 050.84
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N			264.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	163	1 533.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"