IRFZ48
N-MOS 55V, 64A, 130W
|
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 43A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Power - Max | 3.7W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус | TO-262-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFZ48N (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КП741А |
|
|
