Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	TO-262-3

IRFZ48N (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com IRFZ48 datasheet 68.45Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП741А

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	FAIR
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220			60.00
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	TOS
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	КИТАЙ
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISCSEMI
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISC
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		10 509	1.66  >100 шт.   0.83
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	352	1.08
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH	2 400	1.58  >100 шт.   0.79
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	JSMSEMI	35 827	1.23  >500 шт.   0.41
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	KEEN SIDE	24 480	1.40  >100 шт.   0.70
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	3000
		SS8050		Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	440
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	36	1 093.12
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	264.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	142	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	8	1 085.31
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		18	340.20
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
		КТ827В		Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	8	527.04
		МТХ-90		Тиратрон тлеющего разряда		6	358.68
		МТХ-90		Тиратрон тлеющего разряда	ГАЗОТРОН
		МТХ-90		Тиратрон тлеющего разряда	РОВНО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"