| Структура | n-p-n |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 150 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В | 150 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 12 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр,МГц | 51.00 |
| Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт) | 50 |
| Корпус | КТ-17 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
|
1
|
9.25
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
4 216
|
5.84
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMI INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
DIOTEC
|
41
|
19.16
|
|
|
|
1N5407 |
|
Диод 3А, 800В
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
BU508D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BU508D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BU508D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
BU508D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
|
196
|
106.00
|
|
|
|
|
BU508D |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
|
2 122
|
12.49
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
ЭКСПОРТ
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
СЗТП
|
8
|
37.48
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
1
|
|
|
|
|
|
Д814Б |
|
Стабилитрон кремниевый сплавный малой мощности 9 В,10 Ом, Iмакс - 36 мА
|
66
|
|
|
|
|
|
|
К53-1А-16-1.5 10% |
|
|
ОКСИД
|
|
|
|
|
|
|
К53-1А-16-1.5 10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КЕР.ЧИП КОНД. 1500ПФ X7R 50В 10% 1206 (1.5НФ), GRM319R71H152K |
|
|
MURATA
|
|
|
|