Версия для печати

BU508DF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR Производитель: Wing Shing Electronic //www.wingshing.com BU508D datasheet 144.7Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1455		Биполярный транзистор	HITACHI	8	160.06
		2SD1455		Биполярный транзистор			47.76
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOSHIBA	8	136.64
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)		1	509.04
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOS
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	UNKNOWN
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	КИТАЙ
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	NSC
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	ISCSEMI
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	FAIR
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	PHILIPS	59	137.80
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	NXP	43	137.80
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A		10	264.60
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	PHILIPS	4 064
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	1
		КТ872В				1	75.60
		КТ872В			ФРЯЗИНО
		КТ872В			ИНТЕГРАЛ	80	203.01
		КТ872Г					144.00
		КТ872Г			МИНСК
		КТ872Г			ИНТЕГРАЛ	16	203.01

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм		3
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм	RUICHI
		2SC5586		Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W	SANKEN	52	445.06
		2SC5586		Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W	SK
		2SC5586		Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W			167.04
		2SC5586		Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W	КИТАЙ
		2SC5586		Биполярный транзистор NPN 900V, 5A, 70W	ISCSEMI
		PV36W-20		Резистор подстроечный	MURATA
		PV36W-20		Резистор подстроечный			67.12
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...		49	296.00
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	МИНСК
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	ДАЛЕКС
		КТ3117А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 110.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	100	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"