Версия для печати

BU508DF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR Производитель: Wing Shing Electronic //www.wingshing.com BU508D datasheet 144.7Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1455		Биполярный транзистор	HITACHI	8	160.06
		2SD1455		Биполярный транзистор			47.76
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOSHIBA	8	136.64
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)		1	509.04
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOS
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	UNKNOWN
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	КИТАЙ
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	NSC
		2SD1555		Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	ISCSEMI
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	FAIR
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	PHILIPS	59	137.80
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	NXP	43	137.80
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A		10	264.60
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	PHILIPS	4 064
		BU508DW		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1500В 8A	1
		КТ872В				1	75.60
		КТ872В			ФРЯЗИНО
		КТ872В			ИНТЕГРАЛ	80	203.01
		КТ872Г					144.00
		КТ872Г			МИНСК
		КТ872Г			ИНТЕГРАЛ	16	203.01

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм		205	15.37
		16K1 F 100K		Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм	RUICHI
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD	946
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	OTHER
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN	114
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS-FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ON SEMICONDUCTOR	8	2.25
		3329H-153		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	BOURNS
		3329H-153		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	BARONS
		3329H-153		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный			19.04
		3329H-153		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	КИТАЙ
		RS607		Диодный мост 6А 1000В KBU	MASTER INSTRUMENT CO
		RS607		Диодный мост 6А 1000В KBU		840	28.27
		RS607		Диодный мост 6А 1000В KBU	DC COMPONENTS	803	32.13
		RS607		Диодный мост 6А 1000В KBU	GALAXY
		RS607		Диодный мост 6А 1000В KBU	КИТАЙ
		RS607		Диодный мост 6А 1000В KBU	GALAXY ME
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	49	1 093.12
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		1	462.50
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	144	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"