RLB1314-103KL
Индуктивность 10000μH 0,1A 11,7x12mm
|
|
Версия для печати
| Тип | RLB |
| Номинальная индуктивность,мкГ | 10000 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 10 |
| Максимальный постоянный ток,мА | 100 |
| Активное сопротивление,Ом | 12 |
| Добротность,Q | 80 |
| Рабочая температура,С | -20...80 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Длина корпуса,мм | 14 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 13 |
| Особенности | для высокоточных цепей |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W) | NEC |
|
|
||
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W) | 6 608 | 6.64 | |||
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W) | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W) | CJ |
|
|
||
|
|
2SA1625 |
|
Биполярный транзистор PNP (400V, 0.5A, 0.75W) | JSCJ | 3 566 | 2.29 | ||
|
|
BFG67/X | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BFG67/X | NXP |
|
|
||||
|
|
BFG67/X | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BFG67/X |
|
|
|||||
 |
|
C0603C475K8PACTU |
|
Kemet |
|
|
||
|
|
|
C0603C475K8PACTU |
|
|
|
|||
|
|
|
C0603C475K8PACTU |
|
|
|
|||
|
|
|
C0603C475K8PACTU |
|
KEMET |
|
|
||
 |
RLB0914-470KL |
|
Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... | BOURNS |
|
|
||
|
|
RLB0914-470KL |
|
Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... |
|
75.20 | |||
|
|
RLB0914-470KL |
|
Дроссель (L=47uH +/-10%, Idc=1.5A, R=0.14 Ohm, Q=30@f=2.52MHz, SRF=6.0MHz, d=8.7mm, ... | ВОURNS |
|
|
||
| STM32F103C8T6 LQFP48 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
