|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм
|
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
335
|
5.52
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
654 916
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
GRM216R71H223KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM216R71H223KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM216R71H223KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM216R71H223KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
|
MUR
|
26 617
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
GRM216R71H223KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
HEWLETT PACKARD
|
1 523
|
|
|
|
|
HSMS-2803-TR1 |
|
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
1 684
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MUR
|
23 832
|
13.79
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
|
|
24.60
|
|
|
|
LQH43MN101K03L |
|
SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812
|
MURATA
|
|
|
|