| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
TDK
|
24
|
164.43
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 648
|
1.79
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
28 669
|
3.05
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
93 354
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
391 145
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
83
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.59
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
2 914
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
108 128
|
1.59
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
50 400
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
129 833
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
4 160
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 732
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
2375
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
935
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DAYA
|
4 800
|
1.25
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEXIN
|
4 800
|
1.25
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ZITEK
|
4 000
|
1.25
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
RUME
|
72 000
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SLKOR
|
21 600
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
2 310
|
3.04
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
3 864
|
3.04
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
|
|
7.24
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
595
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
1 144
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
770
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INGINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
422
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
JSCJ
|
25 887
|
4.32
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
4149
|
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
4830
|
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
149
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC
|
15 041
|
5.37
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC TAEJIN
|
152
|
11.37
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
123
|
|
|