| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DC COMPONENTS
|
6 262
|
1.09
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DIOTEC
|
45 587
|
1.85
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
|
378
|
10.08
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
8 101
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
JSCJ
|
13 149
|
2.74
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
SZOMK
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
3
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
29 616
|
2.87
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
28 975
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
458 290
|
1.11
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
380 336
|
1.08
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
86 304
|
1.13
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
643
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
79
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
92 817
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
189 360
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
131 792
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
10 131
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
198
|
1.56
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
35 117
|
2.77
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
604
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
51 780
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
16
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
33 600
|
1.18
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
56 011
|
2.07
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
48 736
|
3.05
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
72
|
1.30
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
49 684
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
72 000
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
84 936
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
60 000
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
|
6 075
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
DC COMPONENTS
|
2 733
|
3.67
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
PHILIPS
|
5 522
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
NXP
|
9 334
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
HOTTECH
|
10 557
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
YJ
|
162 612
|
2.45
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
ASEMI
|
30 240
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
SUNTAN
|
2 112
|
1.16
|
|
|
|
BC807-25 |
|
Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:160-400
|
KEEN SIDE
|
3 344
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
|
|
7.52
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BCR512 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,5A 0,33W
|
INTILON
|
|
|
|