Версия для печати

BCR 512 NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit) Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BCR512 datasheet 38.83Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ON SEMICONDUCTOR
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DC COMPONENTS	9 450	1.21
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	DIOTEC
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс		2 704	1.51
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ONS
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	FAIRCHILD	8 101
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	NXP
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	PHILIPS	11 428
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	Fairchild Semiconductor
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	ZTX
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	JSCJ	11 277	1.13
		BAS19		Диод переключающий 100В 0,2А 50нс	SZOMK	4	1.26
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	5 615	1.68
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	25 754	1.85
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	120	1.43
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		15 565	1.52  >100 шт.   0.76
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME	3 327	1.31
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	976 605	1.10
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	670 738	1.13
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	336	1.42  >100 шт.   0.71
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	135 526	1.74  >100 шт.   0.87
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.66  >100 шт.   0.83
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.36  >100 шт.   0.68
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	181 092	1.42  >100 шт.   0.71
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	FAIR
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	FAI/QTC
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	DIODES	932	33.25
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	DIODES INC.
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	Diodes Inc
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	Fairchild Semiconductor
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	Vishay/Semiconductors
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	VISHAY
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	FAIRCHILD
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	MCC
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	YJ
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	FSC
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	ONS
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V			34.80
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	FAIRCHILD
		DF10M		Диодный мост DIP 1A 1000V	ONS-FAIR
		MBT3904DW1T1G			ON SEMICONDUCTOR
		MBT3904DW1T1G			ON SEMICONDUCTOR	2 490
		MBT3904DW1T1G			ONS	24 909	3.78
		MBT3904DW1T1G
		ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 5Х20 8А СТ			FUSES	5 928	3.36

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"