IRG4BC30F
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 100W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC30FD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=600V, Vce (on) typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BTB16-600SWRG |
|
Симистор 16A 600V 10mA | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
BTB16-600SWRG |
|
Симистор 16A 600V 10mA | 624 | 48.48 | |||
|
|
BTB16-600SWRG |
|
Симистор 16A 600V 10mA | STMicroelectronics |
|
|
||
 |
|
IRG4PH40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC | INTERNATIONAL RECTIFIER | 4 | 644.16 | |
|
|
|
IRG4PH40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC |
|
357.88 | ||
|
|
|
IRG4PH40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH40U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC | INFINEON |
|
|
|
| MCR22-8G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MCR22-8G | 7 | 60.48 | ||||||
| MCR22-8G | ONS |
|
|
|||||
| MCR22-8G | 1 |
|
|
|||||
| P10CU-1212ZLF | PEAK ELECTRONICS |
|
|
|||||
| P10CU-1212ZLF | PEAK |
|
|
|||||
| P10CU-1212ZLF |
|
|
||||||
| К1182ПМ1Р1 | СИТ |
|
|
|||||
| К1182ПМ1Р1 |
|
|
||||||
| К1182ПМ1Р1 | НТЦ СИТ |
|
|
|||||
| К1182ПМ1Р1 | БРЯНСК | 63 | 134.25 | |||||
| К1182ПМ1Р1 | КРЕМНИЙ | 52 | 118.68 | |||||
| К1182ПМ1Р1 | 270 |
|
|
