IRG4PH40U
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 41A TO247AC
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 160W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 21A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4PC50S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
500.08 | ||
|
|
|
IRG4PC50S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
|
 |
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | ONS |
|
|
|
|
|
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | 4 | 27.00 | ||
|
|
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | ON SEMIC |
|
|
|
|
|
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR160RLG |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
| Д818Ж1 |
|
22.68 | ||||||
| КД210Г1 |
|
138.24 | ||||||
| КД210Г1 | СТАРТ |
|
|
|||||
| КД210Г1 | СЗТП |
|
|
|||||
| КД210Г1 | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
|||||
 |
|
КЦ 405 А |
|
Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц | RUS |
|
|
