IRG4PH40U

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRG4PH40U (INTERNATIONAL RECTIFIER)	4	644.16
IRG4PH40U		357.88

Версия для печати

Технические характеристики IRG4PH40U

Power - Max	160W
Current - Collector (Ic) (Max)	41A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.1V @ 15V, 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4PH40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4PH40U datasheet
220.44Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJI ELECTRIC
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJITSU
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,		1	567.00
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJI
2SK1940	N-MOS 600V, 12A,	FUJ
АОУ103Б				190.08
АОУ103Б		СТАРТ
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс			115.20
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	СЗТП	8	542.66
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	САРАНСК
КД2997А	Кремниевый диод большой мощности 200В, 100А, 200 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КС215Ж	стекло		1 123	92.00
КС215Ж	стекло	НЗПП	232	36.16
КС215Ж	стекло	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КС215Ж	стекло	НОВОСИБИРСК
КС215Ж	стекло	RUS
КС215Ж	стекло	СЗТП	80	57.78
КС215Ж	стекло	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ 503 Г (06-09Г)	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	RUS