![]() |
|
Power - Max | 160W |
Current - Collector (Ic) (Max) | 41A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 21A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип входа | Standard |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
IRG4PH40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC857C/T1 |
![]() |
4.64 | ||||||
BC857C/T1 | NXP |
![]() |
![]() |
|||||
BC857C/T1 | NEXPERIA |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
IRG4PH50UD |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PH50UD |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный |
![]() |
660.00 | ||
![]() |
![]() |
IRG4PH50UD |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PH50UD |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRG4PH50UD |
![]() |
Транзистор IGBT модуль единичный | UNKNOWN | 5 | 726.00 | |
К1169ЕУ2 | КАЛУГА |
![]() |
![]() |
|||||
К1169ЕУ2 |
![]() |
![]() |
||||||
К1169ЕУ2 |
![]() |
![]() |
||||||
К73-16-1600-0.018 10% |
![]() |
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.018 мкФ 1600 В |
![]() |
26.32 | ||||
К73-16-1600-0.018 10% |
![]() |
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.018 мкФ 1600 В | КЗК |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
КТ898А1 |
![]() |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ... |
![]() |
201.60 | ||
![]() |
![]() |
КТ898А1 |
![]() |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ... | КРЕМНИЙ | 26 | 196.56 | |
![]() |
![]() |
КТ898А1 |
![]() |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные, ... | БРЯНСК | 219 | 285.60 |
|
Корзина
|