IR1150ISTR
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOICN |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 15 V ~ 20 V |
| Current - Startup | 175µA |
| Частота переключения | 200kHz |
| Mode | Continuous Conduction (CCM) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H-630PT 5A/250V | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| H-630PT 5A/250V | HING CHEUNG |
|
|
|||||
| ISL6520ACB |
|
1 005.20 | ||||||
| ISL6520ACB | Intersil |
|
|
|||||
| ISL6520ACB | 4-7 НЕДЕЛЬ | 632 |
|
|||||
 |
 |
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON | 1 | 259.79 | |
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом |
|
575.64 | ||
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
|
UCC29002D |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
UCC29002D |
|
|
|
|||
|
|
|
UCC29002D |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
UCC29002D |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 538 |
|
||
| WSL2512.0051%TR | VISHAY |
|
|
|||||
| WSL2512.0051%TR | VISHAY | 29 500 |
|
