CN2220S14BAUTOE2G2
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM2937IMP-12 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | NSC |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 |
|
133.64 | |||||
|
|
LM2937IMP-12 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM2937IMP-12 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 666 |
|
||||
| SM8S12A/2D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
TLE4274GV50 |
|
358.80 | |||||
|
|
TLE4274GV50 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
TLE4274GV50 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 193 |
|
||||
|
|
TPS2814D | TEXAS INSTRUMENTS | 14 | 150.89 | ||||
|
|
TPS2814D |
|
80.00 | |||||
|
|
TPS2814D | TEXAS |
|
|
||||
|
|
TPS2814D | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
||||
|
|
TPS2814D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 384 |
|
