Версия для печати
Технические характеристики AD680AR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Reference Type	Series, Precision
Напряжение выходное	2.5V
Допустимые отклонения емкости	±0.2%
Температурный коэфициент	20ppm/°C
Напряжение входное	4.5 V ~ 36 V
Количество каналов	1
Ток в рабочей точке(ВАХ)	250µA
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	12 911	3.47
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 375	3.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	672	13.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.24
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...			6.68
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	70 520	0.55  >1000 шт.   0.11
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.96  >100 шт.   0.98
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 580	1.77
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KEEN SIDE	13 696	1.48  >100 шт.   0.74
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MERRYELC	2 000	1.94  >100 шт.   0.97
		ADG511BR		Ключ аналоговый х4 норм.-разомкн. Рпот.<35мкВт	ANALOG DEVICES
		ADG511BR		Ключ аналоговый х4 норм.-разомкн. Рпот.<35мкВт		26	174.80
		ADG511BR		Ключ аналоговый х4 норм.-разомкн. Рпот.<35мкВт	Analog Devices Inc
		ADG511BR		Ключ аналоговый х4 норм.-разомкн. Рпот.<35мкВт	4-7 НЕДЕЛЬ	28
		ADG513BRZ		4 Ключа, SPST, 30 ohm, +3V or +5V RAIL, Ton=200nsec SOIC, PB free	ANALOG DEVICES	1	478.80
		ADG513BRZ		4 Ключа, SPST, 30 ohm, +3V or +5V RAIL, Ton=200nsec SOIC, PB free	ANALOG
		ADG513BRZ		4 Ключа, SPST, 30 ohm, +3V or +5V RAIL, Ton=200nsec SOIC, PB free		32	1 064.45
		ADG513BRZ		4 Ключа, SPST, 30 ohm, +3V or +5V RAIL, Ton=200nsec SOIC, PB free	Analog Devices Inc
		ADG513BRZ		4 Ключа, SPST, 30 ohm, +3V or +5V RAIL, Ton=200nsec SOIC, PB free	4-7 НЕДЕЛЬ	144
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт		20 662	1.39
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PHILIPS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	VISHAY
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	CHINA
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIRCHILD
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	GALAXY
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	FAIRCHILD
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PHILIPS	368
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	Fairchild Semiconductor
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	КИТАЙ	800	5.47
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	EXTRA
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	DC COMPONENTS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	MCC
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	KINGTRONICS
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	GALAXY ME
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	PANJIT
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	HOTTECH
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	KLS	12 000	1.54  >100 шт.   0.77
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	LGE
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	БРЕСТ
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	1
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	SEMTECH
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	SUNTAN	180	1.22
		BZX55C3V3		Cтабилитрон универсальный 115мА, 3.3В, 0.5Вт	ASEMI	1 346	1.62  >100 шт.   0.81
		DS1803Z-010+		2 потенциометра, 10кОм, 256 позиций, 2-x проводной,Uп=2.7:5.5В, -40..+85°С	MAXIM
		DS1803Z-010+		2 потенциометра, 10кОм, 256 позиций, 2-x проводной,Uп=2.7:5.5В, -40..+85°С	MAX
		DS1803Z-010+		2 потенциометра, 10кОм, 256 позиций, 2-x проводной,Uп=2.7:5.5В, -40..+85°С	Maxim Integrated Products

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"