| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
76 180
|
1.34
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
|
58 663
|
1.56
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ
|
2 996
|
2.42
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIC
|
30 766
|
1.69
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WTE
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YJ ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
BILING
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MIG
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
EXTRACOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GD
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE
|
31 200
|
2.37
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
KLS
|
784
|
6.89
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
DG
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
LD
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
JANGJIE
|
210
|
2.21
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
1
|
|
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
CTK
|
54
|
2.01
|
|
|
|
FR207 |
|
Импульсный диод 1000V, 2A, 500ns
|
MERRYELC
|
36 656
|
1.34
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
|
22
|
24.05
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
BM
|
126
|
64.00
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
NXU
|
|
|
|
|
|
USBB-1J |
|
Розетка на плату угловая 1 слота, экранированная 30В, 1А
|
SZC
|
|
|
|
|
|
ГУ-50 |
|
Пентод для усиления мощности и генерации сигналов высокой частоты
|
|
67
|
625.60
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
658
|
15.46
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
340
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
2 036
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.10
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
|
ПЛ-3-1ПД37 |
|
|
|
|
240.00
|
|