|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1000МКФ 160В (22X45) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 160В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1000МКФ 160В (22X45) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 160В
|
|
|
540.00
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
15 660
|
1.06
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
30 656
|
3.34
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
2 669
|
2.49
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
24
|
3.10
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
243
|
4.69
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
8 000
|
1.54
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
7 052
|
2.37
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
|
|
21.36
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
OTHER
|
517
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ISC
|
1 712
|
6.12
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
SEMTECH
|
3 144
|
9.08
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
LGE
|
5 840
|
4.13
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
|
|
320.00
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
228
|
|
|
|
|
М2000НМ1-36К20Х12Х6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
М2000НМ1-36К20Х12Х6 |
|
|
ОАО "НЕВА-ФЕРРИТ"
|
|
|
|