| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
|
|
40.00
|
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
США
|
|
|
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2SC3955 |
|
NPN 200V, 100mA, 7W, 300MHz (Comp. 2SA1540)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI ELECTRIC
|
4
|
260.82
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
|
|
228.48
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
470МКФ 450В (35X50) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
470МКФ 450В (35X50) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 450В
|
|
|
912.00
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
52
|
8.34
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
|
|
28.04
|
|
|
|
BS108 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200В 0.23A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
10 780
|
1.06
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
5 112
|
1.04
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
960
|
2.49
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
159
|
4.64
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
5 779
|
2.37
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
RUME
|
8 000
|
1.50
|
|