| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
100МКФ 63В (10Х21, АКС) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
100МКФ 63В (10Х21, АКС) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 63В
|
|
|
28.80
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
PHILIPS
|
83
|
254.40
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
|
|
124.76
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
WS
|
|
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
ISC
|
|
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
137
|
|
|
|
|
|
BU2508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS
|
17
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
3
|
318.00
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
3
|
318.00
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
36
|
230.58
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
JSMICRO
|
440
|
108.44
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MURATA
|
1 600
|
10.60
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
|
|
25.88
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
MUR
|
42 604
|
8.51
|
|
|
|
|
LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
MF-MSMF050-2 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 15V, 0,5A
|
|
|
44.00
|
|
|
|
MF-MSMF050-2 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 15V, 0,5A
|
BOURNS
|
30 232
|
5.17
|
|
|
|
MF-MSMF050-2 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 15V, 0,5A
|
BOURNS
|
979
|
|
|
|
|
MF-MSMF050-2 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 15V, 0,5A
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
MF-MSMF050-2 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 15V, 0,5A
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
MF-MSMF050-2 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 15V, 0,5A
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MF-MSMF050-2 |
|
Предохранитель самовосстанавливающийся 15V, 0,5A
|
JEMETE
|
28 693
|
3.97
|
|