Версия для печати
Технические характеристики 0805-NP0-220PF 5% 200V

Тип монтажа	Поверхностный
Номинальное напряжение	200 В
Емкость	220 пФ
Корпус (размер)	0805
Тип	Керамический
Температурный коэфициент	NP0

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

Синонимы от поставщиков: 0805-NP0-220pF 5% 200V ; 0805-NP0 ; 0805 NP0 ; 0805 — NP0 ; 0805NP0 ; конденсатор 0805-NP0 ; 0805-NP0 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805-5.60K 1%		ЧИП — резистор 0805, 5,6кОм, 1%		52	1.24
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FAIR
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP	1 183	21.20
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	PHILIPS
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный		387	22.20
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	МАРОККО
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	1
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NEXPERIA
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	FUMAN	480	4.07
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	NXP/NEXPERIA	667	12.46
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	4-7 НЕДЕЛЬ	316
		74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	1508
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 648	2.12
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	732	1.61
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	102 554	1.86
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	356 257	1.74  >100 шт.   0.87
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		48 085	1.28  >100 шт.   0.64
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.73
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	5 872	1.76  >100 шт.   0.88
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	4.13
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	218 448	1.86  >100 шт.   0.93
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	60 000	1.29  >500 шт.   0.43
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	148 819	1.50  >500 шт.   0.50
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK	160	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	8 280	1.50  >500 шт.   0.50
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC	246 080	1.24  >100 шт.   0.62
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 812	1.41  >500 шт.   0.47
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DAYA	4 800	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEXIN	4 800	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ZITEK	4 000	1.48
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	3000	80	0.85  >1000 шт.   0.17
		TL081BCP		1xOP JFET +-18V 13V/us			34.00
		TL081BCP		1xOP JFET +-18V 13V/us	TEXAS INSTRUMENTS	46	84.80
		TL081BCP		1xOP JFET +-18V 13V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	612

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"