| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LIT
|
9 196
|
25.34
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
132
|
26.85
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
71
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
763
|
21.48
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FC
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LTV
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
865
|
44.64
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLLIGHT
|
4 040
|
18.60
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EL
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOS
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
YOUTAI
|
4 742
|
13.69
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVL
|
963
|
17.15
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOSHIBA
|
1
|
8.39
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AVAGO
|
28
|
26.85
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
150
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
35
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
76
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
975
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
1
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.32
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
238 945
|
2.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 219
|
2.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
47 671
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 439 123
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
73 559
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
2.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 501 806
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
466 903
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
122 963
|
1.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
263 200
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
263
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
171 620
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор
|
KB
|
|
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор
|
|
|
19.84
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор
|
KGB
|
19 196
|
20.59
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KP-3216MGC |
|
SMD индикатор
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
PIC18F1320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 16I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
6
|
1 342.50
|
|
|
|
PIC18F1320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 16I/O 40MHz
|
|
|
550.76
|
|
|
|
PIC18F1320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 16I/O 40MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC18F1320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 16I/O 40MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC18F1320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 16I/O 40MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC18F1320-I/SO |
|
4Kx16 Flash 16I/O 40MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
|
ТАНТАЛ 10МКФ 16В10%ТИПB |
|
|
|
|
|
|