TL082ID
Сдвоенный ОУ JFET-input
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 1.4mA |
| Напряжение входного смещения | 3000µV |
| Ток - входного смещения | 30pA |
| Полоса пропускания | 3MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 13 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Ток выходной / канал | 40mA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TL082 JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: TL082ID, TL082IDR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADM202EARNZ-REEL | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADM202EARNZ-REEL | ANALOG DEVICES | 196 |
|
|||||
| ADM202EARNZ-REEL |
|
|
||||||
 |
HT1621B | HOLTEK | 3 039 | 47.31 | ||||
|
|
HT1621B | 3 | 55.50 | |||||
|
|
HT1621B | HOLT |
|
|
||||
|
|
HT1621B | США |
|
|
||||
|
|
HT1621B | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
||||
|
|
HT1621B | HOLTEK | 24 |
|
||||
|
|
HT1621B | 1 |
|
|
||||
|
|
HT1621B | 4-7 НЕДЕЛЬ | 261 |
|
||||
 |
LP3961EMP-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | NSC |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 |
|
189.60 | |||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | КОРЕЯ, НАРОДНО- |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LP3961EMP-3.3 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 523 |
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG | ONS |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG |
|
39.44 | |||||
|
|
MC78M05ABDTG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 529 |
|
||||
|
|
MC79M05BDT | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC79M05BDT |
|
92.00 | |||||
|
|
MC79M05BDT | ONS |
|
|
||||
|
|
MC79M05BDT | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||||
|
|
MC79M05BDT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 118 |
|
