С5-35В-10 220 ОМ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ST MICROELECTRONICS
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	MOTOROLA
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ON SEMICONDUCTOR
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А		428	99.74
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	MOTOROLA
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ON SEMICONDUCTOR
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	STMicroelectronics
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	PMC
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	МАЛАЙЗИЯ
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ISC	250	87.47
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ST1
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ST MICROELECTRO
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	STMICROELECTR
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	КИТАЙ
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	NO NAME
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	ISCSEMI
2N3055	Транзистор NPN 100В, 15А	1
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	14	44.69
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		496	24.52
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 841	8.60
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения		1	29.60
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	РИГА
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	МСХ1
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ЛАТВИЯ
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	RUS
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА РИГА	232	96.09
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ИНТЕГРАЛ
МЛТ-2-47 КОМ-2%