| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
|
|
60.00
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B32923C3105M |
|
Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
32 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
3 600
|
3.10
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
HOTTECH
|
39 504
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
SEMTECH
|
13
|
1.66
|
|
|
|
|
CRCW12061R00JNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061R00JNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061R00JNEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
8
|
6.36
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
10 604
|
2.95
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
РЕСУРС
|
|
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
