FNR-20K181

180В 60.0 Дж, варистор

Версия для печати

Технические характеристики FNR-20K181

Тип	FNR
Классификационное напряжение	180
при токе,мА	1
Напряжение срабатывания среднеквадратичное, В	115
Напряжение срабатывания на постоянном токе, В	150
Поглощаемая энергия, Дж	60
Рабочая температура, С	-40...85
Исполнение	диск
Диаметр (ширина) корпуса D(W), мм	20

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS	4 649	39.86
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%			60.00
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS Inc
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	EPCOS
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	КИТАЙ
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	TDK EPCOS
B32923C3105M	Пленочный конденсатор радиальный 1мкФ, 305В, 20%	TDK-EPC
BZV55C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA		35 840	1.36 >100 шт. 0.68
BZV55C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	NXP
BZV55C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BZV55C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	КИТАЙ
BZV55C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	KINGTRONICS	3 600	3.10
BZV55C18	Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA	HOTTECH	91 441	2.00 >100 шт. 1.00
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	INFINEON
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	HOTTECH
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	KLS
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	TR
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	VBSEMI	176	5.12
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	TRR
IRLML0030TR	Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...	HXY
С2-29 0.5 1% 10.0К		РЕСУРС
С2-29 0.5 1% 10.0К
С2-29В-1-300 КОМ-0,5%