|
Версия для печати
| Тип | FNR |
| Классификационное напряжение | 180 |
| при токе,мА | 1 |
| Напряжение срабатывания среднеквадратичное, В | 115 |
| Напряжение срабатывания на постоянном токе, В | 150 |
| Поглощаемая энергия, Дж | 60 |
| Рабочая температура, С | -40...85 |
| Исполнение | диск |
| Диаметр (ширина) корпуса D(W), мм | 20 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BS-901AS-12VDC | BESTAR |
|
|
|||||
| BS-901AS-12VDC |
|
|
||||||
|
|
|
KBPC5010 50A 1000V (MB5010) |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм | 1 960 | 81.48 | ||
|
|
PLA10AS1030R7R2B |
|
Сетевой фильтр, Ind.0.7А | MURATA |
|
|
||
|
|
PLA10AS1030R7R2B |
|
Сетевой фильтр, Ind.0.7А |
|
69.64 | |||
|
|
PLA10AS1030R7R2B |
|
Сетевой фильтр, Ind.0.7А | MUR |
|
|
||
|
|
PLA10AS1030R7R2B |
|
Сетевой фильтр, Ind.0.7А | Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
PLA10AS1030R7R2B |
|
Сетевой фильтр, Ind.0.7А | TOKYO PARTS |
|
|
||
|
|
PLA10AS1030R7R2B |
|
Сетевой фильтр, Ind.0.7А | TP-MUR |
|
|
||
|
|
RC1206JR-0782R |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 82 | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
RC1206JR-0782R |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 82 | YAGEO |
|
|
||
|
|
RC1206JR-0782R |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 82 | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
RC1206JR-0782R |
|
Чип-резистор 0.125/0.25Вт,1206,5%, 82 | YAGEO |
|
|
||
| К15-5 3 КВ 2200ПФ Н20 |
|
|