| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
|
14 000
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP
|
656
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
34
|
2.57
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
21 168
|
1.28
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
1 542
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
XXW
|
44 023
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
30 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
3 600
|
3.10
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
HOTTECH
|
58 168
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
SEMTECH
|
13
|
1.81
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
8
|
6.99
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
29 740
|
3.08
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
YOUTAI
|
2
|
11.54
|
|
|
|
|
JNR20S100L |
|
Нелинейный терморезистор
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
|
JNR20S100L |
|
Нелинейный терморезистор
|
|
|
32.68
|
|
|
|
|
JNR20S100L |
|
Нелинейный терморезистор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
РЕСУРС
|
|
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
|
|
|
|