| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
ST MICROELECTRONICS
|
532
|
34.36
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
|
|
42.40
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
71
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
MIC
|
3
|
12.53
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
KINGTRONICS
|
24
|
23.76
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
YJ
|
1 237
|
12.53
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
WAYON
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
MIG
|
1 485
|
12.53
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
JJM
|
1 017
|
9.53
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
1
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
XSEMI
|
273
|
9.08
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
1597
|
|
|
|
|
|
1.5KE24A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 24в
|
76
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
2 513
|
1.79
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
23 685
|
3.05
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
35 158
|
2.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
337
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
OTHER
|
1 165
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
552
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
|
|
3.00
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
59
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
1 279
|
1.16
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
2 164
|
1.79
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
268
|
1.72
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
6 590
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
159 088
|
1.78
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
162 427
|
1.35
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
SUNTAN
|
260
|
1.13
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
56 900
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
2705
|
|
|
|
|
|
BAS16 |
|
Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)
|
200
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
|
|
4.20
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
NXP
|
626
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
PHILIPS
|
18 448
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
JSCJ
|
182 222
|
1.75
|
|
|
|
BC817 |
|
Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц
|
TOP DIODE
|
81 600
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
|
К50-35-16В-47МКФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
800
|
16.38
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 395
|
3.58
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 908
|
5.37
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
7.16
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
196
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4264
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6178
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
762
|
|
|
|