| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CR-1 390ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8 666
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
10 749
|
22.73
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
INFINEON / IR
|
120
|
29.99
|
|
|
|
|
IRFZ44NPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5 ...
|
RUME
|
6 840
|
18.75
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
|
|
36.00
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
5
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
FAIRCHILD
|
64
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
228
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
455
|
8.01
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
MICRO CHIP
|
1 676
|
165.31
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
|
352
|
103.36
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
MICRO CHIP
|
1 324
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
400
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O, 20MHz, ROM1K, RAM 64
|
95
|
|
|
|
Версия для печати
