| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1UF/25V 45.4 85° |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
VISHAY
|
3 200
|
121.39
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
|
1 580
|
78.28
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
INFINEON
|
344
|
185.98
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FSC
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
|
|
66.60
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
KA3525A/SG3525AN |
|
SMPS упpавление двухтактным пpеобpазователем
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
593
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
|
|
36.00
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
5
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
FAIRCHILD
|
64
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM358AMX |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
228
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
44
|
13.27
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|