| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
ST MICROELECTRONICS
|
640
|
6.51
|
|
|
|
|
M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
|
|
|
|
|
|
|
M24C01-WBN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
244
|
|
|
 |
 |
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 056
|
36.34
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK
|
|
3 200
|
22.55
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STN1NK60Z |
|
Транзистор МОП N-канальный 600V 0.8A IPAK
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
К10-17Б ИМП. 0.47МКФ X7R,10%,1206 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
К10-17Б-NPO-47ПФ 50 (5%) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
|
56
|
22.68
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
ДНЕПР
|
396
|
9.30
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
125
|
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
660
|
|
|
|
Версия для печати
