MC44608P40

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MC44608P40 (ON SEMICONDUCTOR)	4	175.68
MC44608P40	8	238.14

Версия для печати

Технические характеристики MC44608P40

Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Isolated	Да
Cuk	Нет
Divider	Нет
Doubler	Нет
Inverting	Нет
Flyback	Да
Boost	Нет
Buck	Нет
Напряжение питания	6.6 V ~ 13 V
Duty Cycle	86%
Частота -макс.	44kHz
Число выходов	1
PWM Type	Voltage Mode
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MC44608

Few External Components Reliable and Flexible SMPS Controller

Также в этом файле: MC44608P40

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MC44608P40 datasheet
148.71Kb
16стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC4742	Биполярный транзистор NPN+D hi-res, 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SC4742	Биполярный транзистор NPN+D hi-res, 1500V, 6A, 50W	TOS
2SC4742	Биполярный транзистор NPN+D hi-res, 1500V, 6A, 50W			62.04
SFH617A-1	Оптрон			37.28
SFH617A-1	Оптрон	NS
SFH617A-1	Оптрон	SIEMENS
SFH617A-1	Оптрон	VISHAY
SFH617A-1	Оптрон	4-7 НЕДЕЛЬ	753
КД509А	Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ...		486	2.12
КД509А	Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ...	БРЕСТ
КД509А	Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные, для применения в импульсных ...	534
КП103М	Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА			113.52
КП103М	Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА	ВИННИЦА
КП103М	Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА	RUS
КТ892Б				250.00
КТ892Б		УЛЬЯНОВСК