BU808DFX
Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS
|
Структура: NPN |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
47МКФ 50В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
47МКФ 50В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50В |
|
9.00 | ||
|
|
BA3835F |
|
AUD пятиполосный фильтр для спектроанализатора | ROHM |
|
|
||
|
|
BA3835F |
|
AUD пятиполосный фильтр для спектроанализатора | 1 | 234.36 | |||
|
|
BA3835F |
|
AUD пятиполосный фильтр для спектроанализатора | 4-7 НЕДЕЛЬ | 552 |
|
||
|
|
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | DC COMPONENTS | 438 874 | 2.15 | ||||
|
|
GS1G | 7 920 | 1.27 | |||||
|
|
GS1G | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||||
|
|
GS1G | OTHER |
|
|
||||
|
|
GS1G | PANJIT |
|
|
||||
|
|
GS1G | MICROSEMI CORP |
|
|
||||
|
|
GS1G | YT |
|
|
||||
|
|
GS1G | HOTTECH |
|
|
||||
|
|
GS1G | YANGJIE | 20 000 | 1.25 | ||||
 |
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz |
|
119.44 | ||
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 662 |
|
