BU808DFX
Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS
|
Структура: NPN |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
 |
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz |
|
119.44 | ||
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|
|
|
|
TDA16846(P) |
|
Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 117 |
|
|
| TDA9365PS/N3/5 | PHILIPS |
|
|
|||||
| TDA9365PS/N3/5 | PHILIPS |
|
|
|||||
| TDA9365PS/N3/5 | 1 | 396.90 | ||||||
| TDA9365PS/N3/5 | 1 |
|
|
|||||
| Д R2KN(VZ=150-170 V) | SANKEN |
|
|
|||||
| Д R2KN(VZ=150-170 V) |
|
46.80 | ||||||
| Д R2KN(VZ=150-170 V) | КИТАЙ |
|
|
