| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
11
|
32.00
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
 |
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
72.30
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
1 920
|
58.48
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
К1401УД1 |
|
|
|
19 993
|
9.30
|
|
|
|
|
К1401УД1 |
|
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
К1401УД1 |
|
|
ФОТОН
|
1 200
|
32.79
|
|
|
|
|
К1401УД1 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К1401УД1 |
|
|
2244
|
|
|
|
|
|
|
К1401УД1 |
|
|
2313
|
|
|
|
|
|
|
К1401УД1 |
|
|
3999
|
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный
|
|
2 876
|
186.00
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный
|
1
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ - 0.5 ВТ 100 ОМ 5% |
|
|
|
4 160
|
1.43
|
|
Версия для печати
