| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
|
|
288.00
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ONS
|
72
|
537.47
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MC33363ADWR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
338
|
|
|
|
|
 |
SF36 |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
|
|
15.64
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
MIC
|
6
|
9.48
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
KLS
|
201
|
9.15
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
YANGJIE
|
8 400
|
7.06
|
|
|
|
|
SF36 |
|
|
TRR
|
4 000
|
4.21
|
|
 |
|
КТ203В |
|
|
|
21
|
114.78
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ203В |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
810
|
16.38
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
3 411
|
4.24
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 908
|
6.36
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
766
|
8.48
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
196
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4264
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6178
|
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
762
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
1 034.56
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
56
|
629.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
169
|
1 325.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
