LM2931AT-5.0G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
LM2931AT-5.0G	40	3-4 недели Цена по запросу
LM2931AT-5.0G (ONSEMI)	2	205.70
LM2931AT-5.0G (4-7 НЕДЕЛЬ)	588	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LM2931AT-5.0G

Производитель	ON Semiconductor Corporation
Количество в упаковке	50 шт.
Вес	2.170 г
Тип стабилизатора	LDO
Тип выхода	Fixed
Входное напряжение	5.16…40 В
Выходное напряжение	5В @ 0.1А
Точность	2 %
Падение напряжения (тип.)	160 мВ
Рабочая температура	-40...125 °C
	100 mA, 5 V, Low Dropout Voltage Regulator wi

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ST MICROELECTRONICS	147	73.50
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NSC
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	STMicroelectronics
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	СИНГАПУР
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	TEXAS INSTRUMENTS
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	TEXAS
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	NS
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	ST MICROELECTRO
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...		676	41.52
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	1
LM335Z	Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	275
TDA7267A	DIP16	ST MICROELECTRONICS
TDA7267A	DIP16		10	207.90
TDA7267A	DIP16	ST1
TDA7267A	DIP16	ST MICROELECTRO
TDA7267A	DIP16	STMICROELECTR
TDA7267A	DIP16	1
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		321	27.75
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	670	28.35
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 590	37.80
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
ТК24-00-1-110 +/-3%
ТК24-00-1-65+/-6%		РАДИОТЕХКОМПЛЕК
ТК24-00-1-65+/-6%		РАДИОТЕХКОМПЛЕКТ
ТК24-00-1-65+/-6%		РТК