2SJ200

P-MOS Hi-Fi, 180V, 10A, 120W (Comp. 2SK1529)

2SJ200

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SJ200		859.60

Версия для печати

Технические характеристики 2SJ200

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	180V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 30V
Power - Max	120W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	2-16C1B (TO-247 N)
Корпус	TO-3P(N)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK1529		Транзистор полевой N-FT 180В 10A			376.28
		2SK1529		Транзистор полевой N-FT 180В 10A	TOSHIBA
		2SK1529		Транзистор полевой N-FT 180В 10A	TOS
		2SK1529Y			TOSHIBA
		2SK1529Y					720.00
		MBR20100CTG		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1	73.31
		MBR20100CTG		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONS
		MBR20100CTG		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MBR20100CTG		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MBR20100CTG		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
		MBR20100CTG		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KOME
		SQP-5W-100 5%		Резистор постоянный керамический прямоугольный	TAIWAN
		SQP-5W-100 5%		Резистор постоянный керамический прямоугольный			12.68
		КСО-8БГ-1000В-0.01 МКФ 5%

радиодетали кварц микросхемы магазин

О компании

Контакты

Как купить?

Доставка

Вакансии

Корзина

Товаров: 0, на 0.00 руб.

оформить | очистить