2SK1529
Транзистор полевой N-FT 180В 10A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 180V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 700pF @ 30V |
| Power - Max | 120W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-16C1B (TO-247 N) |
| Корпус | TO-3P(N) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SK1529 (Полевые МОП транзисторы) N Channel Mos Type (high Power Amplifier Applications)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ200 |
|
P-MOS Hi-Fi, 180V, 10A, 120W (Comp. 2SK1529) | TOSHIBA |
|
|
|||
| 2SJ200 |
|
P-MOS Hi-Fi, 180V, 10A, 120W (Comp. 2SK1529) |
|
859.60 | ||||
| 2SJ200 |
|
P-MOS Hi-Fi, 180V, 10A, 120W (Comp. 2SK1529) | TOS |
|
|
|||
| 2SJ200Y | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SJ200Y |
|
1 087.20 | ||||||
| 2SJ200Y |
|
1 087.20 | ||||||
| RK27112A0-S20-C0-A503 | ЯПОНИЯ |
|
|
|||||
| RK27112A0-S20-C0-A503 | ALPS |
|
|
|||||
| RK27112A0-S20-C0-A503 |
|
|
||||||
| КТ 8102 А | RUS |
|
|
|||||
 |
 |
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | 62 | 209.76 | ||
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | КРЕМНИЙ | 8 | 181.44 | |
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | БРЯНСК | 417 | 262.50 | |
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | КВАЗАР |
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный | БРРЯНСК |
|
|
