| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
8 024
|
44.43
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
|
414
|
44.40
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
UMW
|
1 120
|
13.43
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
YOUTAI
|
8 982
|
11.32
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
103
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
530
|
|
|
|
|
|
|
MCP602T-I/SN |
|
2xOp-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
3 012
|
39.26
|
|
|
|
|
MCP602T-I/SN |
|
2xOp-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
|
1 876
|
37.67
|
|
|
|
|
MCP602T-I/SN |
|
2xOp-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP602T-I/SN |
|
2xOp-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP602T-I/SN |
|
2xOp-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
MICRO CHIP
|
2 399
|
|
|
|
|
|
MCP602T-I/SN |
|
2xOp-Amp LP 2,8MHz 2,3V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
296
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
|
23
|
42.40
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
США
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
FAIRCHILD
|
814
|
42.40
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS
|
1 272
|
34.74
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6
|
42.40
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
YOUTAI
|
740
|
23.01
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
UMW
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
ONSEMI
|
16
|
36.23
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
41
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
8
|
|
|
|
|
|
MOC3052M |
|
Оптосимистор 7.5kV, 600V, 60mA, Iоткр=10mA
|
20
|
|
|
|
|
|
|
КР140УД22 (200Г) |
|
|
|
60
|
71.95
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
824
|
15.12
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
336
|
8.48
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
404
|
14.05
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
88
|
12.40
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
672
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
94
|
|
|
|